奇码(Magima)笔试题

　　收集一：

　　一.填空

　　1.集成电路的分类，按材料，工艺

　　2.集成电阻的计算，以及其制造工艺

　　3.Vtp，Vtn的正负判断，分别对于增强型和耗尽型

　　4.CMOS电路功耗包括哪两个部分，功耗设计主要考虑的因素

　　……(还有几道不记得了)

　　二.填表

　　全定制，门阵列，FPGA各自单元模块，连线的性质……

　　三.填图

　　CMOS工艺流程填图画图

　　四.问答

　　1.CMOS单元负载较大的电容时，只有提高W，这样会使W*L增加，相对前级又时一个大电容，如何解决这一矛盾?

　　2.结合软件谈谈全定制集成电路设计流程

　　3.谈谈对Layout设计的看法

　　五.翻版图或者画版图，选一

　　第二卷

　　1.什么是格雷码?

　　2.Nyquist采样定例

　　3.球一米高落下，每次探起一半，求路程和重力做功

　　4.运算放大器1，…………2，有几级，各级之间耦合方式有几种，分析各种的优劣。

　　收集二：1.画出NMOS的特性曲线(指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和C-V曲线)

　　2.2.2um工艺下，Kn=3Kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。

　　3.说出制作N-well的工艺流程。

　　4.雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。

　　5.用CMOS画一个D触发器(clk，d，q，q-)

　
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