电子类笔试题精选

　　3、什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在?(仕兰微面试题目)

　　4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种?(仕兰微面试题目)

　　5、描述你对集成电路设计流程的认识。(仕兰微面试题目)

　　6、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。(仕兰微面试题目)

　　7、IC设计前端到后端的流程和eda工具。(未知)

　　8、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.(未知)

　　9、Asic的design flow。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)

　　10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。(威盛)

　　11、集成电路前段设计流程，写出相关的工具。(扬智电子笔试)

　　先介绍下IC开发流程：

　　1.)代码输入(design input)

　　用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述，生成hdl代码

　　BBS语言输入工具：SUMMIT VISUALHDL

　　h5k'?4]%Z6s1mMENTOR RENIOR

　　图形输入: composer(cadence);

　　viewlogic (viewdraw)

　　2.)电路仿真(circuit simulation)

　　将vhd代码进行先前逻辑仿真，验证功能描述是否正确

　　数字电路仿真工具：

　　BBSVerolog： CADENCE Verolig-XL

　　MENTOR Modle-sim

　　VHDL : CADENCE NC-vhdl

　　4MENTOR Modle-sim 2A.

　　模拟电路仿真工具： ***ANTI HSpice pspice，spectre micro microwave: eesoft : hp

　　3.)逻辑综合(synthesis tools)

　　逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路;将初级仿真中所没有考虑的门沿(gates delay)反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。

　　12、请简述一下设计后端的整个流程?(仕兰微面试题目)

　　13、是否接触过自动布局布线?请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元素?(仕兰微面试题目)

　　14、描述你对集成电路工艺的认识。(仕兰微面试题目)

　　15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?(仕兰微面试题目)

　　16、请描述一下国内的工艺现状。(仕兰微面试题目)

　　17、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式?(仕兰微面试题目)

　　18、描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?(仕兰微面试题目)

　　19、解释latch-up现象和Antenna effect和其预防措施.(未知)

　　20、什么叫Latchup?(科广试题)

　　21、什么叫窄沟效应? (科广试题)

　　22、什么是NMOS、PMOS、CMOS?什么是增强型、耗尽型?什么是PNP、NPN?他们有什么差别?(仕兰微面试题目)

　　23、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求?(仕兰微面试题目)

　　24、画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图(应该是纵剖面图)，给出所有可能的传输特性和转移特性。(Infineon笔试试题)

　　25、以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。(科广试题)

　　26、Please explain how we describe the resistance in semiconductor. Compare the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional CMOS process.(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)

　　27、说明mos一半工作在什么区。(凹凸的题目和面试)

　　28、画p-bulk 的nmos截面图。(凹凸的题目和面试)

　　29、写schematic note(?)， 越多越好。(凹凸的题目和面试)

　　30、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。(未知)

　　31、太底层的MOS管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题，因为全是微电子物理，公式推导太罗索，除非面试出题的是个老学究。IC设计的话需要熟悉的软件: Cadence,Synopsys, Avant，UNIX当然也要大概会操作。

　　32、unix 命令cp -r, rm,uname。(扬智电子笔试)

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